消息称SK海力士HBM4内存基础裸片有望采用台积电7nm制程

IT之家 4 月 23 日消息，消息韩媒 The称S存基础裸 Elec 在报道中表示 ，预测 SK 海力士将在 HBM4 内存的力士澳门必中一肖一码精准基础裸片（Base Die）部分采用台积电 7nm 制程 。

IT之家注：目前台积电 7nm 系产能大部分已迁移至 6nm 变体，望采因此韩媒的用台管家婆一肖一码100%中表达更适合作为“7nm 系”制程理解 。

HBM 内存的积电2024年香港今晚特马基础裸片是 DRAM 堆叠的底座，同时也作为控制器负责同处理器进行通信。制程

SK 海力士上周同台积电签署了 HBM 内存合作谅解备忘录，消息双方的称S存基础裸首个合作重点就是 HBM 基础逻辑芯片的性能改善。

SK 海力士此前在 HBM 产品中采用存储半导体工艺制造基础裸片；而在 HBM4 中，力士台积电将采用先进逻辑工艺为 SK 海力士代工  ，望采以实现更丰富的用台功能和更加优异的功效，有助于满足客户对定制化 HBM 的积电需求。

SK 海力士目标到 2026 年实现 HBM4 内存投产
。制程

咨询机构 TrendForce 集邦咨询持有不同于 The消息 Elec 的看法 ，其在去年 11 月认为 HBM4 的基础裸片将基于 12nm 工艺。